QSG3透明石英玻璃坩埚

本标准适用于半导体工业拉制单晶用的高纯透明石英玻璃坩埚。本坩埚采用天然石英熔制成坯体，并在其内表面涂一层高纯人造石英玻璃层。一、技术要求 1．物理、化学性能指标（1）化学成分 a．内涂层化学成分铝、钙、镁、钛、铜、铁、钻，镍、锰、硼、钾、钠、理十三个杂质元素的总含量不得大于0．001％。其中：铝≤5×l0[-4]％；铜≤0．l×l0[-4]％；铁≤0．5×l0[-4]％；硼≤0．1×l0[-4]％；钾≤1×l0[-4]％；钠≤1×10[-4]％。 b．坩埚坯体化学成分铝、钙、镁、钛、铜、铁、钴、镍、锰、硼、钾、钠、锂十三个杂质元素的总含量不得大于0．01％。其中：铝≤60×10[-4]％；铜≤0．1×l0[-4]％；铁≤5×l0[-4]％；硼≤0．3×l0[-4]％；钾≤4×l0[-4]％；钠≤4×l0[-4]％。（2）热稳定性试样在1100℃至20℃温度急变下试验三次，不产生裂纹。（3）抗结晶性试样在1200℃温度下恒温半小时，不允许出现直径大于3毫米的析晶白点，0．5～ 3毫米的析晶白点，每100平方厘米不得超过10个。（4）涂层厚度应均匀，折合重量应符合表1规定。表1外径D涂层重量外径 D涂层重量毫米克毫米克 80 3.0 106 4.5 90 3.5 114 5.5 100 4.0 130 7.0 2．外观指标 (1)坩埚坯体部分（见表２）。项目气直径弧度部分 0.3￣0.4毫米直线部分 0.3￣0.7泡允许数量（个/厘米[2]）≤6暗长径弧度部分 1￣4毫米直线部分 2￣4疤允许数量（条/100厘米[2]）≤4色丝状长径（毫米） 0.2￣1.5点状直径（毫米） 0.2￣0.8斑允许总数（个/100厘米[2]）≤4透明颗粒允许数量（个/100厘米2）≤30波纹（毫米）≤0.3注：①缺陷宽度小于点状下限的按丝状计。②非圆形缺陷的直径均按算术平均值计。 (2)坩埚口部不得有缺口，不得有深、宽大于4毫米的表皮崩落。 (3)坩埚内表面不允许有色斑沾污和析晶。 (4)坩埚内表面涂层上每100平方厘米中允许透明颗粒（直径在0.5￣0.7毫米）为10个。二、形状与规格尺寸 3．半导体用透明石英玻璃坩埚的形状与规格尺寸应符合下图及表３规定。表３外径高度底半径厚度范围同一横截面的厚度公差 D H R 80+0.6 60±2 D-1 2.0±0.5 0.3 -0.9─── 2 90+0.6 70±2 D-2 2.0±0.5 0.3 -0.9─── 2 100+0.6 80±3 D-2 2.3±0.5 0.3 -1.1─── 2 106+0.6 90±3 D-2 2.3±0.5 0.3 -1.1─── 2 114+0.6 75±3 D-2 2.3±0.5 0.3 -1.1─── 2 130+0.6 110±3 D-2 2.5±0.5 0.4 -1.6─── 2三、试验方法 4．化学成分按JC 1866－81《石英玻璃原料及制品中微量杂质元素的分析方法》中的规定进行。 5．热稳定性按JC187－73《石英玻璃热稳定性检验方法》中的规定进行。 6．抗结晶性按JC 188－73《石英玻璃抗结晶性检验方法》中的规定进行。 7．气泡按JC190－81《透明石英玻璃气泡、气线检验方法》中的规定进行。